Si3N4窒化ケイ素セラミックス スライス基板

 

サイズ：□118mm×0.5t

電気自動車、クリーンエネルギー等を普及するため,パワー半導体は小型軽量化、
高出力化に優れた特性を持ち、
アルミナ基板、アルミニウム基板に代わる窒化珪素基板が注目されています。

特長

• 高い絶縁性
• 薄板加工をする事による高い放熱性

物性表

項目			単位	値
主原料〔窒化ケイ素〕			％	90
副原料〔焼結助剤〕			％	10
密度			g/㎤	3.2
機械的特性	ビッカース硬さ(1kgf)		GPa	15
	3点曲げ強さ		MPa	850
	圧縮強さ		MPa	3,800
	ヤング率		GPa	302
	ポアソン比		－	0.28
	破壊靱性(IF)		MPa･	6
熱的特性	平均線膨張率	40-400℃		2.7
	熱伝導率(20℃)		W/(m･K)	26.1
	比熱容量		J/(g･K)	0.646
電気的特性	絶縁破壊強さ		kV/mm	15
	体積抵抗率	20℃	Ω･cm	5.8×10¹⁶

※表中の測定値はそれぞれ保証値ではなく、参考値です。